RN1117MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | RN1117MFV,L3F |
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Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.18 |
10+ | $0.164 |
100+ | $0.0892 |
500+ | $0.0549 |
1000+ | $0.0374 |
2000+ | $0.0318 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | VESM |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Leistung - max | 150 mW |
Verpackung / Gehäuse | SOT-723 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 250 MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 30 @ 10mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 mA |
Grundproduktnummer | RN1117 |
RN1117MFV,L3F Einzelheiten PDF [English] | RN1117MFV,L3F PDF - EN.pdf |
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
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AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=4.7KOHM,
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RN1117MFV,L3FToshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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